在從事繼電保護(hù)的工作汲取大量經(jīng)驗(yàn)的同時(shí)再結(jié)合大量的工程實(shí)踐，我認(rèn)為在實(shí)際工程實(shí)施時(shí)，針對發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子過壓問題必須采取針對性的保護(hù)措施，現(xiàn)分別闡述如下： 

　　換相過電壓的保護(hù)，由于其產(chǎn)生的頻率高達(dá)300 Hz而且又是長期連續(xù)如此，因此用ZnO壓敏電阻來吸收效果并不理想。這主要是因?yàn)閆nO 要求長期的荷電率必須限制在0.6 以下，即意味著不能采取頻繁而連續(xù)地導(dǎo)通吸能，否則ZnO壓敏電阻容易出現(xiàn)老化，漏電流上升，最終導(dǎo)致其壽命會大大縮短。因此國內(nèi)有些單位應(yīng)用ZnO作尖峰吸收器時(shí)，都把ZnO的壓敏電壓取得很高，用意是以此降低荷電率。這僅僅為了保護(hù) ZnO 自身安全，而對于其他相關(guān)設(shè)備的保護(hù)作用并不佳，甚至是形同虛設(shè)。 

　　根據(jù)上述關(guān)于換相過電壓產(chǎn)生的原因分析可見，其產(chǎn)生的源頭在勵(lì)磁變的漏感及線路電感，因此選擇從頭攔截相對來說效果會比較好。如果有多臺整流柜并聯(lián)運(yùn)行，建議在總交流進(jìn)線處集中設(shè)一組 GRC 即可。這是因?yàn)閾Q相過電壓的產(chǎn)生只決定于并聯(lián)橋臂中最后截止的那只可控硅， 而與并聯(lián)橋臂的多少并無多大相關(guān)性。在可控硅換相t3~ t4階段，LB次級繞組任意二相電流突變產(chǎn)生過電壓時(shí)，都可以經(jīng)過二極管D1~ D6對電容C充電，從而得到緩沖，降低了di/dt，限制了過電壓。t4 時(shí)刻后，C上的電荷向電阻R釋放，等待下一個(gè)周期再次吸收。二極管D1~ D6 的作用是：首先是可使三相共用一組R、C，這樣可以比較有效地節(jié)省體積較大、價(jià)格較高的高壓電容；其次是防止C上的電荷向勵(lì)磁回路釋放，避免在可控硅換相重疊瞬間二相短路時(shí)電容C突然放電產(chǎn)生極大的di/dt，損壞可控硅管；再次是可以避免電容C和回路電感產(chǎn)生振蕩。 

　　操作過電壓、故障過電壓、滑差過電壓、不對稱過電壓等的保護(hù)，以上這四種過電壓，均不是長期連續(xù)而只是偶然發(fā)生的，因此非常適合采用ZnO壓敏電阻來進(jìn)行保護(hù)。這主要是由于ZnO有優(yōu)良的非線性伏安特性，一方面在大電流沖擊下殘壓不高，保護(hù)特性較好；另一方面在過電壓消失后，ZnO的續(xù)流迅速大幅度下降到 mA 級， 可以使過電壓保護(hù)跨接器中的可控硅管自行關(guān)斷。但是進(jìn)口的跨接器采用SiC 作為吸能元件，這種元件漏電流大，過電壓保護(hù)動(dòng)作后不能實(shí)現(xiàn)自行關(guān)斷， 必須采取停機(jī)復(fù)歸，或者用熄滅線、瞬時(shí)逆變等復(fù)雜的操作后才可以復(fù)歸，其可靠性相對較低，故很多進(jìn)口的SiC跨接器大部分都改成ZnO跨接器，這種類型的過電壓保護(hù)器在我國現(xiàn)已普遍推廣使用。其工作原理如下：正常運(yùn)行時(shí)不通，正向勵(lì)磁電壓被KP阻隔，反向雖然有二極管KP導(dǎo)通，但勵(lì)磁電壓反向峰值很低。因此D電阻RV承受電壓不高，荷電率很低，可以保證其擁有長期的工作壽命，不易出現(xiàn)老化等問題。正向過電壓襲來時(shí)，通過分壓電阻R，使觸發(fā)器CF動(dòng)作，輸出觸發(fā)脈沖使KP觸發(fā)導(dǎo)通，RV立即接人轉(zhuǎn)子回路導(dǎo)通吸能限壓；過電壓消失后，RV的續(xù)流即下降到mA級，小于KP的維持電流，KP自行截止，跨接器復(fù)歸關(guān)斷。反向過電壓由二極管D導(dǎo)通限壓，同樣自動(dòng)恢復(fù)截止。正向過壓保護(hù)動(dòng)作電壓值可以通過改變R1的阻值來整定，調(diào)整起來比較方便。